IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新一代新型電子電力半導體器件，它是將功率MOSFET和GTR集成在一個芯片上的復合器件。功率MOSFET是單極型電壓驅動器件。它具有工作速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好以及驅動電路簡單特點，但它導通電阻較大，電流容量也較低，而GTR是雙極型電流驅動器件，其阻斷電壓高，載流能力強，但工作速度較慢，驅動電流大、控制電路較復雜。

      中國產業信息網（www.chyxx.com）分析師李子干指出，進入21世紀以來，作為強電－弱電接口、推進現代先進制造技術關鍵的電力電子正方興未艾地在世界上發展。今后十年是中國社會從小康走向初步富裕的重要時期，作為一個發展中國家，發展電力電子正是完成工業化、推廣信息化的重大舉措。我們將看到今后十年有關電力電子的新思想、新理論、新技術、新材料、新產品、新應用將在政產學研各界的共同努力下，不斷涌現，為持續造福于人民做出應有貢獻。

      中國產業信息網發布的《2012-2016年中國半導體市場競爭格局與投資方向研究報告》中指出，目前中國IGBT 行業中高端技術已有突破，初步形成從芯片設計到芯片封裝的產業鏈，較強的成本優勢將是中國本土企業與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年IGBT 市場的高速增長，國產化進程的啟動將會使產業鏈覆蓋的企業受惠。