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應用材料介紹TSV刻蝕系統和fab內掩膜版檢測系統能力

http://www.cnkawayi.cn  2008-12-05 11:29  中企顧問網

本文導讀:應用材料介紹TSV刻蝕系統和fab內掩膜版檢測系統能力,提供能源礦產、石油化工、IT通訊、房產建材、機械設備、電子電器、食品飲料、農林牧漁、旅游商貿、醫藥保艦交通物流、輕工紡織等行業專業研究報告

    前,美國應用材料(Applied Materials Inc.,Santa Clara, Calif.)宣布推出針對穿透硅通孔(through-silicon via,TSV)應用的刻蝕系統Centura Silvia。同時,應用材料表示,正在發貨掩膜檢測系統Aera2,該系統可使掩膜的常規檢測在晶圓廠內實施,而不用由掩膜供應商來完成。

    應用材料介紹說,Centura Silvia系統可刻蝕平滑的垂直通孔邊墻,滿足隨后的高質量線和填充薄膜沉積的苛刻要求。該系統可在同一腔體內刻蝕硅和氧化物。應用材料刻蝕和清洗部門總經理Ellie Yieh表示,TSV 3-D互連中多重通孔的刻蝕步驟占據了大部分的成本。

    “Silvia系統專為解決傳統刻蝕速率與形貌表現的平衡問題而設計,同時將極大地降低用戶擁有成本,”Yieh表示。Silvia系統采用應用材料公司專利的時分多工氣體模塊(TMGM)工藝,并建立在公司多年的深槽硅刻蝕技術經驗基礎上,相應的系統已安裝超過200套。”

    應用材料表示,Silvia系統支持先通孔(via-first)和后通孔(via-last)方法。對于先通孔工藝,刻蝕設備
提供了高的光刻膠選擇比,來制作側墻平滑的小的深孔。對于封裝廠和半導體IDM廠商選擇的后通孔工藝,用戶擁有成本至關重要,Silvia系統通過采用低成本 的消耗品來縮減整體成本。

    光刻檢測設備Aera2
  
    隨著雙重圖形進入量產階段,晶圓廠必須確保多次曝光和霧狀缺陷累積后掩膜版CD尺寸的一致性(CDU)。應用材料表示,通過在fab的光刻區采用Aera2系統的IntenCD虛像檢測技術,制造商能將CDU提高20%,提升器件成品率并降低每個晶圓成像成本。

    應用材料硅系統集團高級副總Tom St. Dennis介紹說,“45nm及更高節點時CD一致性要求極高,尤其是雙重圖形技術中,CD變化至少有一半來自于掩膜版。”

    IntenCD技術在整個光罩區的虛像中產生CDU的map圖,較小的掩模缺陷會導致其虛像在亮度上的細微局部變化。應用材料聲稱,通過代替基于晶圓的測量方法,對掩膜版可用性的判斷從兩天縮減到一個小時。同時,改進的一致性數據使得光刻掃描機能對CD變化進行補償,提高了線寬精度。

    晶圓廠內檢測能幫助fab經理延長掩膜版壽命。“掩膜版屬性呈動態變化,并因多次曝光累計表現的不一致,包括霧狀缺陷成長和薄膜退化導致的CD錯誤。通過代替傳統固定的根據預定時間表對掩膜版定期維護方法,fab經理采用Aera2系統能將掩膜版維護周期最小化,并增加其壽命和有效性。”應用材料公司表示。

   該檢測設備還可搭配應用材料公司Tetra光罩清洗系統一起使用,而不必將掩膜版送出晶圓廠進行清洗。

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